Show simple item record

dc.contributor.authorVengalis, Bonifacas
dc.contributor.authorČerniukė, Irina
dc.contributor.authorManeikis, Andrius
dc.contributor.authorOginskis, Antanas Kleopas
dc.contributor.authorGrigaliūnaitė-Vonsevičienė, Gražina
dc.date.accessioned2023-09-18T16:12:38Z
dc.date.available2023-09-18T16:12:38Z
dc.date.issued2015
dc.identifier.issn1648-8504
dc.identifier.other(BIS)LBT02-000055153
dc.identifier.urihttps://etalpykla.vilniustech.lt/handle/123456789/112368
dc.description.abstractLa0.67Sr0.33MnO3 thin films exhibiting a highly (001)-plane oriented and polycrystalline structure with a variable amount of (011)-textured crystallites have been grown in situ by RF magnetron sputtering on crystalline MgO(001) substrates by changing deposition temperature from 550 to 800 °C. Competing contribution of grains and grain boundaries to resistivity and magnetoresistance of the films has been investigated at T = (78–330) K. A model based on two parallel channels of current flow across grain boundaries has been applied to explain coexistence of low (LFMR) and high field (HFMR) magnetoresistance effects in the polycrystalline films at low temperatures. The LFMR effect has been understood assuming tunnelling of spin-polarized carriers via magnetic field-driven tunnelling barriers formed naturally between neighbouring misoriented grains. Meanwhile, the HFMR phenomenon has been associated with magnetic field-dependent hopping of carriers via the intergrain regions with reduced carrier density. Importance of the phase separation phenomenon on possible inhomogeneity of the material at grain boundaries has been discussed.eng
dc.description.abstractPlonieji (100) plokštumoje orientuoti La0,67Sr0,33MnO3 (LSMO) sluoksniai, taip pat polikristaliniai LSMO sluoksniai su papildomais (110) plokštumoje orientuotais kristalitais buvo užauginti magnetroninio dulkinimo būdu keičiant kristalinių MgO(100) padėklų temperatūrą nuo 550 iki 800 °C. Ištirta kristalinių grūdų ir tarpkristalinių sričių įtaka sluoksnių elektrinei varžai ir magnetovaržai 78–330 K temperatūrų ruože. Tarpkristalinių ribų magnetovaržai silpnuose (LFMR) ir stipriuose (HFMR) magnetiniuose laukuose paaiškinti buvo pasitelktas dviejų lygiagrečių elektrai laidžių kanalų modelis. LFMR reiškinys polikristaliniuose LSMO sluoksniuose paaiškintas krūvininkų su orientuotais sukiniais tuneliavimu per magnetiniu lauku valdomą tunelinį barjerą, susidarantį technologinio proceso metu tarp gretimų skirtingai orientuotų kristalinių grūdų. Žymi polikristalinių sluoksnių magnetovarža, esant žemoms temperatūroms ir stipriems magnetiniams laukams, buvo susieta su šuoliniu krūvininkų transportu per tarpkristalines sritis, pasižyminčias sumažinta krūvininkų koncentracija. Aptarta galima fazinio išsisluoksniavimo reiškinio įtaka nevienalytei tarpgrūdinei terpei susidaryti tiriamuosiuose polikristaliniuose LSMO sluoksniuose.lit
dc.formatPDF
dc.format.extentp. 132-141
dc.format.mediumtekstas / txt
dc.language.isoeng
dc.relation.isreferencedbyINSPEC
dc.relation.isreferencedbyPhysNet
dc.relation.isreferencedbyScience Citation Index Expanded (Web of Science)
dc.source.urihttp://www.itpa.lt/~lfd/Lfz/552/08/
dc.titleElectrical resistance and magnetoresistance of highly oriented and polycrystalline La0.67Sr0.33MnO3/MgO(001) thin films
dc.title.alternativePlonųjų tekstūruotų ir polikristalinių La0,67Sr0,33MnO3/MgO(001) sluoksnių elektrinė varža ir magnetovarža.
dc.typeStraipsnis Web of Science DB / Article in Web of Science DB
dcterms.references29
dc.type.pubtypeS1 - Straipsnis Web of Science DB / Web of Science DB article
dc.contributor.institutionValstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras
dc.contributor.institutionVilniaus Gedimino technikos universitetas
dc.contributor.facultyFundamentinių mokslų fakultetas / Faculty of Fundamental Sciences
dc.subject.researchfieldT 008 - Medžiagų inžinerija / Material engineering
dc.subject.ltPlonieji LSMO sluoksniai
dc.subject.ltElektrinė varža
dc.subject.ltMagnetovarža
dc.subject.enLSMO thin films
dc.subject.enGrain boundaries
dc.subject.enElectrical resistivity
dc.subject.enLow field magnetoresistance
dcterms.sourcetitleLithuanian journal of physics
dc.description.issueno. 2
dc.description.volumeVol. 55
dc.identifier.doi10.3952/physics.v55i2.3104
dc.identifier.elaba11550078


Files in this item

FilesSizeFormatView

There are no files associated with this item.

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record