Show simple item record

dc.contributor.authorSužiedėlis, Algirdas
dc.contributor.authorAšmontas, Steponas
dc.contributor.authorGradauskas, Jonas
dc.contributor.authorŠilėnas, Aldis
dc.contributor.authorČerškus, Aurimas
dc.contributor.authorLučun, Andžej
dc.contributor.authorPaškevič, Česlav
dc.contributor.authorAnbinderis, Maksimas
dc.contributor.authorŽalys, Ovidijus Alfonsas
dc.date.accessioned2023-09-18T16:59:42Z
dc.date.available2023-09-18T16:59:42Z
dc.date.issued2017
dc.identifier.issn1648-8504
dc.identifier.other(BIS)LBT02-000058696
dc.identifier.urihttps://etalpykla.vilniustech.lt/handle/123456789/118632
dc.description.abstractThe design of a simple cost-effective planar semiconductor microwave diode is proposed. The operation is based on hot carrier phenomena and rectification of microwave currents flowing through the structure composed of two diodes connected in series and having different active region areas. A simplified technological process and the use of simplex semiconductor material result in the reduction of both the time and the cost of fabrication of a dual microwave diode. By choosing an appropriate GaAs substrate, two types of microwave diodes were produced simultaneously: one almost demonstrating the ohmic behaviour and the other two having the asymmetrical Schottky-like I–V characteristic. The Schottky-like planar diodes exhibited a higher responsivity to millimetre range microwave radiation and a faster response to pulsed (down to a nanosecond scale) excitation, but the ohmic ones demonstrated better noise properties.eng
dc.description.abstractStraipsnyje pateikiama paprasta rentabili planarinio mikrobangų diodo konstrukcija. Diodo veikimo principas pagrįstas karštųjų krūvininkų reiškiniu ir mikrobangų srovių, tekančių per darinį, kuris susideda iš vienas prieš kitą nuosekliai sujungtų diodų, turinčių skirtingus aktyviųjų sričių plotus, lyginimu. Supaprastintas diodų gamybos technologinis maršrutas ir paprasta puslaidininkinė medžiaga (vienalyčiai legiruoto puslaidininkio plokštelės) leidžia sumažinti tokio mikrobangų diodo gamybos kaštus. Parenkant atitinkamą GaAs padėklą, vienu metu buvo pagaminti dviejų rūšių mikrobangų diodai: vieni, pasižymintys ominėmis savybėmis, ir kiti du, kurių voltamperinė charakteristika yra netiesinė ir asimetrinė, panaši į Šotkio diodo. Neominiai diodai pasižymėjo didesniu voltvatiniu jautriu ir spartesniu atsaku impulsiniam, nanosekundžių skalės, mikrobangų sužadinimui, o ominiai diodai – mažesniais elektroniniais triukšmais ir tiesinėmis voltvatinėmis charakteristikomis, todėl juos galima panaudoti mikrobangų galiai matuoti.lit
dc.formatPDF
dc.format.extentp. 225-231
dc.format.mediumtekstas / txt
dc.language.isoeng
dc.relation.isreferencedbyINSPEC
dc.relation.isreferencedbyPhysNet
dc.relation.isreferencedbyScience Citation Index Expanded (Web of Science)
dc.source.urihttps://doi.org/10.3952/physics.v57i4.3601
dc.subjectFM02 - Energijos šaltinių medžiagos ir technologijos / Materials and technologies of energy sources
dc.titlePlanar asymmetric dual diode for millimetre wave detection and power measurement
dc.title.alternativePlanarinis asimetrinis dvigubas diodas milimetrinių bangų detekcijai ir galios matavimui
dc.typeStraipsnis Web of Science DB / Article in Web of Science DB
dcterms.references18
dc.type.pubtypeS1 - Straipsnis Web of Science DB / Web of Science DB article
dc.contributor.institutionValstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras Vilniaus Gedimino technikos universitetas
dc.contributor.institutionValstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras
dc.contributor.facultyFundamentinių mokslų fakultetas / Faculty of Fundamental Sciences
dc.contributor.facultyMechanikos fakultetas / Faculty of Mechanics
dc.contributor.facultyElektronikos fakultetas / Faculty of Electronics
dc.subject.researchfieldN 002 - Fizika / Physics
dc.subject.ltspecializationsL104 - Nauji gamybos procesai, medžiagos ir technologijos / New production processes, materials and technologies
dc.subject.ltMillimetrinių bangų galios matavimas
dc.subject.ltŠotkio diodas
dc.subject.ltGaAs
dc.subject.enMillimetre wave power measurement
dc.subject.enOhmic contacts
dc.subject.enSchottky junctions
dcterms.sourcetitleLithuanian journal of physics
dc.description.issueno.4
dc.description.volumeVol. 57
dc.publisher.nameLietuvos mokslų akademija
dc.publisher.cityVilnius
dc.identifier.doi10.3952/physics.v57i4.3601
dc.identifier.elaba25637855


Files in this item

FilesSizeFormatView

There are no files associated with this item.

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record