| dc.contributor.author | Sužiedėlis, Algirdas | |
| dc.contributor.author | Ašmontas, Steponas | |
| dc.contributor.author | Gradauskas, Jonas | |
| dc.contributor.author | Šilėnas, Aldis | |
| dc.contributor.author | Čerškus, Aurimas | |
| dc.contributor.author | Lučun, Andžej | |
| dc.contributor.author | Paškevič, Česlav | |
| dc.contributor.author | Anbinderis, Maksimas | |
| dc.contributor.author | Žalys, Ovidijus Alfonsas | |
| dc.date.accessioned | 2023-09-18T16:59:42Z | |
| dc.date.available | 2023-09-18T16:59:42Z | |
| dc.date.issued | 2017 | |
| dc.identifier.issn | 1648-8504 | |
| dc.identifier.other | (BIS)LBT02-000058696 | |
| dc.identifier.uri | https://etalpykla.vilniustech.lt/handle/123456789/118632 | |
| dc.description.abstract | The design of a simple cost-effective planar semiconductor microwave diode is proposed. The operation is based on hot carrier phenomena and rectification of microwave currents flowing through the structure composed of two diodes connected in series and having different active region areas. A simplified technological process and the use of simplex semiconductor material result in the reduction of both the time and the cost of fabrication of a dual microwave diode. By choosing an appropriate GaAs substrate, two types of microwave diodes were produced simultaneously: one almost demonstrating the ohmic behaviour and the other two having the asymmetrical Schottky-like I–V characteristic. The Schottky-like planar diodes exhibited a higher responsivity to millimetre range microwave radiation and a faster response to pulsed (down to a nanosecond scale) excitation, but the ohmic ones demonstrated better noise properties. | eng |
| dc.description.abstract | Straipsnyje pateikiama paprasta rentabili planarinio mikrobangų diodo konstrukcija. Diodo veikimo principas pagrįstas karštųjų krūvininkų reiškiniu ir mikrobangų srovių, tekančių per darinį, kuris susideda iš vienas prieš kitą nuosekliai sujungtų diodų, turinčių skirtingus aktyviųjų sričių plotus, lyginimu. Supaprastintas diodų gamybos technologinis maršrutas ir paprasta puslaidininkinė medžiaga (vienalyčiai legiruoto puslaidininkio plokštelės) leidžia sumažinti tokio mikrobangų diodo gamybos kaštus. Parenkant atitinkamą GaAs padėklą, vienu metu buvo pagaminti dviejų rūšių mikrobangų diodai: vieni, pasižymintys ominėmis savybėmis, ir kiti du, kurių voltamperinė charakteristika yra netiesinė ir asimetrinė, panaši į Šotkio diodo. Neominiai diodai pasižymėjo didesniu voltvatiniu jautriu ir spartesniu atsaku impulsiniam, nanosekundžių skalės, mikrobangų sužadinimui, o ominiai diodai – mažesniais elektroniniais triukšmais ir tiesinėmis voltvatinėmis charakteristikomis, todėl juos galima panaudoti mikrobangų galiai matuoti. | lit |
| dc.format | PDF | |
| dc.format.extent | p. 225-231 | |
| dc.format.medium | tekstas / txt | |
| dc.language.iso | eng | |
| dc.relation.isreferencedby | INSPEC | |
| dc.relation.isreferencedby | PhysNet | |
| dc.relation.isreferencedby | Science Citation Index Expanded (Web of Science) | |
| dc.source.uri | https://doi.org/10.3952/physics.v57i4.3601 | |
| dc.subject | FM02 - Energijos šaltinių medžiagos ir technologijos / Materials and technologies of energy sources | |
| dc.title | Planar asymmetric dual diode for millimetre wave detection and power measurement | |
| dc.title.alternative | Planarinis asimetrinis dvigubas diodas milimetrinių bangų detekcijai ir galios matavimui | |
| dc.type | Straipsnis Web of Science DB / Article in Web of Science DB | |
| dcterms.references | 18 | |
| dc.type.pubtype | S1 - Straipsnis Web of Science DB / Web of Science DB article | |
| dc.contributor.institution | Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras Vilniaus Gedimino technikos universitetas | |
| dc.contributor.institution | Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras | |
| dc.contributor.faculty | Fundamentinių mokslų fakultetas / Faculty of Fundamental Sciences | |
| dc.contributor.faculty | Mechanikos fakultetas / Faculty of Mechanics | |
| dc.contributor.faculty | Elektronikos fakultetas / Faculty of Electronics | |
| dc.subject.researchfield | N 002 - Fizika / Physics | |
| dc.subject.ltspecializations | L104 - Nauji gamybos procesai, medžiagos ir technologijos / New production processes, materials and technologies | |
| dc.subject.lt | Millimetrinių bangų galios matavimas | |
| dc.subject.lt | Šotkio diodas | |
| dc.subject.lt | GaAs | |
| dc.subject.en | Millimetre wave power measurement | |
| dc.subject.en | Ohmic contacts | |
| dc.subject.en | Schottky junctions | |
| dcterms.sourcetitle | Lithuanian journal of physics | |
| dc.description.issue | no.4 | |
| dc.description.volume | Vol. 57 | |
| dc.publisher.name | Lietuvos mokslų akademija | |
| dc.publisher.city | Vilnius | |
| dc.identifier.doi | 10.3952/physics.v57i4.3601 | |
| dc.identifier.elaba | 25637855 | |