dc.contributor.author | Čerškus, Aurimas | |
dc.contributor.author | Nargelienė, Viktorija | |
dc.contributor.author | Kundrotas, Algis Jurgis | |
dc.contributor.author | Sužiedėlis, Algirdas | |
dc.contributor.author | Ašmontas, Steponas | |
dc.contributor.author | Gradauskas, Jonas | |
dc.contributor.author | Johannessen, Agne | |
dc.contributor.author | Johannessen, Erik | |
dc.date.accessioned | 2023-09-18T17:45:16Z | |
dc.date.available | 2023-09-18T17:45:16Z | |
dc.date.issued | 2010 | |
dc.identifier.other | (BIS)LBT02-000040234 | |
dc.identifier.uri | https://etalpykla.vilniustech.lt/handle/123456789/125922 | |
dc.format.extent | p. 26 | |
dc.format.medium | tekstas / txt | |
dc.language.iso | eng | |
dc.title | Enhancement of the excitonic photoluminescence in n+/i-GaAs by controlling the thickness and impurity concentration of the n+ layer | |
dc.type | Konferencijos pranešimo santrauka / Conference presentation abstract | |
dcterms.references | 0 | |
dc.type.pubtype | T2 - Konferencijos pranešimo tezės / Conference presentation abstract | |
dc.contributor.institution | Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras Lietuvos edukologijos universitetas Puslaidininkių fizikos institutas | |
dc.contributor.institution | Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras Puslaidininkių fizikos institutas | |
dc.contributor.institution | Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras Vilniaus Gedimino technikos universitetas | |
dc.contributor.institution | Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras Vilniaus Gedimino technikos universitetas Puslaidininkių fizikos institutas | |
dc.contributor.institution | Vestfold University College, Norway | |
dc.subject.researchfield | N 002 - Fizika / Physics | |
dc.subject.lt | GaAs | |
dc.subject.lt | Vienalytė sandūra | |
dc.subject.lt | Fotoliuminescencija | |
dc.subject.lt | Eksitonai | |
dc.subject.en | GaAs | |
dc.subject.en | Homojunction | |
dc.subject.en | Photoluminescence | |
dc.subject.en | Excitons | |
dcterms.sourcetitle | 14th International symposium on ultrafast phenomena in semiconductors : abstracts, 23-25 August, 2010, Vilnius, Lithuania | |
dc.publisher.name | Semiconductor Physics Institute | |
dc.publisher.city | Vilnius | |
dc.identifier.doi | VPU02-000008235 | |
dc.identifier.elaba | 5888356 | |