dc.contributor.author | Gradauskas, Jonas | |
dc.contributor.author | Širmulis, Edmundas | |
dc.contributor.author | Ašmontas, Steponas | |
dc.contributor.author | Sužiedėlis, Algirdas | |
dc.contributor.author | Dashevsky, Z.M. | |
dc.contributor.author | Kasiyan, V. | |
dc.date.accessioned | 2023-09-18T17:45:27Z | |
dc.date.available | 2023-09-18T17:45:27Z | |
dc.date.issued | 2010 | |
dc.identifier.other | (BIS)LBT02-000040251 | |
dc.identifier.uri | https://etalpykla.vilniustech.lt/handle/123456789/125955 | |
dc.format.extent | p. 62 | |
dc.format.medium | tekstas / txt | |
dc.language.iso | eng | |
dc.title | Peculiarities of high power infrared detection on narrow-gap semiconductor p-n junctions | |
dc.type | Konferencijos pranešimo santrauka / Conference presentation abstract | |
dcterms.references | 3 | |
dc.type.pubtype | T2 - Konferencijos pranešimo tezės / Conference presentation abstract | |
dc.contributor.institution | Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras Vilniaus Gedimino technikos universitetas | |
dc.contributor.institution | Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras | |
dc.contributor.institution | Ben-Gurion University of the Negev | |
dc.subject.researchfield | N 002 - Fizika / Physics | |
dc.subject.lt | Fotoįtampa | |
dc.subject.lt | Karštieji krūvininkai | |
dc.subject.lt | Infraraudonasis detektavimas | |
dc.subject.lt | Siauratarpis puslaidininkis | |
dc.subject.en | Photovoltage | |
dc.subject.en | Hot carriers | |
dc.subject.en | Infrared detection | |
dc.subject.en | Narrow-gap semiconductor | |
dcterms.sourcetitle | 14th International symposium on ultrafast phenomena in semiconductors : abstracts, 23-25 August, 2010, Vilnius, Lithuania | |
dc.publisher.name | Semiconductor Physics Institute | |
dc.publisher.city | Vilnius | |
dc.identifier.elaba | 5888631 | |