Sulydomų diodų elektrinių charakteristikų eksperimentinis tyrimas

Abstract

Eksperimentiškai ištirta sulydomų diodų tiesioginių ir atgalinių įtampų priklausomybė nuo silicio plokštelės savitosios varžos ir storio. Išnagrinėtos atgalinių įtampų priklausomybės nuo ėsdinimo HF rūgštyje trukmės. Ištirta diodų tiesioginių ir atgalinių įtampų priklausomybė nuo sulydymo temperatūrų profilio pasiskirstymo. Gauti eksperimentinio tyrimo rezultatai patvirtina, kad, mažėjant savitajam silicio sluoksnio laidumui, didėja tiesioginių įtampų vertės. Išanalizavus sulydyto diodo tiesioginės varžos dedamąsias, padaryta išvada, kad esminę įtaką tiesioginei įtampai turi silicio sluoksnio varža. Eksperimentiškai patvirtinta, kad, norint gauti mažesnes tiesioginių įtampų vertes, reikia ploninti Si plokšteles, apribojant paviršines varžas. Ištirta paviršiaus ėsdinimo trukmės įtaka pramušimo įtampoms. Nustatyta, kad ilgiau ėsdinant HF rūgštyje pašalinamas perteklinis Al – Si sluoksnis ir priartėjama prie pn sandūros, kuri pasyvuojama su polimerine guma ir taip pagerinamos atgalinės įtampos vertės. Nustatyta elektrinių charakteristikų priklausomybė nuo sulydymo profilio trečiosios zonos temperatūrų [...].

Dependences of forward and backward voltages of diodes on silicon disc resistivity, on silicon disc’s thickness, dependences backward characteristics on duration of etching in HF acid and forward and backward dependences on alloying temperature profile was investigated. The obtained experimental investigation results confirm that decreasing of resistivity values increases forward characteristics. Experimental investigation results confirm that if we need to get lower values of forward characteristics, we must reduce silicon disc’s thickness, limiting resistivity [...].