Rodyti trumpą aprašą

dc.contributor.authorNavickas, Romualdas
dc.contributor.authorBarzdėnas, Vaidotas
dc.date.accessioned2023-09-18T19:23:56Z
dc.date.available2023-09-18T19:23:56Z
dc.date.issued2005
dc.identifier.issn1392-1215
dc.identifier.other(BIS)VGT02-000010501
dc.identifier.urihttps://etalpykla.vilniustech.lt/handle/123456789/138958
dc.description.abstractGaAs krūviui jautrių stiprintuvų modeliavimo pagal ORCAD-PSPICE programą rezultatai buvo gauti esant įvairioms KJS darbo sąlygoms, kai taškinių jutiklių talpų Cd diapazonas buvo 0,05 pF...1 pF, įėjimo signalų diapazonas Qin=1...100 fC, išėjimo apkrova RL=50, 1 k, 10 k, 100 k ir 1 MΩ; CL=2,5 pF, o aplinkos temperatūra keitėsi nuo -60 °C iki +125 °C. Šių priklausomybių analizė parodė GaAs KJS pagrindinių elektrinių parametrų gerinimo kryptis. KJS elektriniai parametrai, kai įėjimo signalas keitėsi nuo 1 iki 20 fC, stiprintuvo apkrovos varža – 1MΩ, apkrovos talpa – 2,5pF, o įėjimo talpa 0,2pF, apskaičiuoti tokie: registravimo trukmė yra lygi 8,5 ns, perdavimo koeficientas 37,7–39,4 mV/fC. Ekvivalentinis triukšmų krūvis (ENC) KJS įėjime yra mažas ir lygus 184 ē, o vartojamoji galia neviršija 1 mW. Kai KJS apkrovos varža yra maža, tai mažesni būna ir triukšmai, tačiau didesnė vartojamoji galia [...].lit
dc.description.abstractGaAs integrated circuit the charge sensitive amplifier (CSA) is generally used for pixel detectors in mammography and dentography. Computer simulation was carried out by ORCAD-PSPICE simulator. The amplifier has bipolar response with peaking time about 8,5 ns and 39.4 mV/fC gain, equivalent noise charge of input ENC=184 ē rms and low power consumption is 0.94 mW when input charge is 20 fC, load resistance – 1 MΩ and the capacitance - 2,5 pF.eng
dc.format.extentp. 47-51
dc.format.mediumtekstas / txt
dc.language.isolit
dc.relation.isreferencedbyVINITI
dc.relation.isreferencedbyINSPEC
dc.source.urihttps://eejournal.ktu.lt/index.php/elt/article/view/10475
dc.titleGaAs krūviui jautrių stiprintuvų skaičiavimas ir analizė
dc.title.alternativeModelling of GaAs charge sensitive amplifiers
dc.typeStraipsnis kitoje DB / Article in other DB
dcterms.references0
dc.type.pubtypeS3 - Straipsnis kitoje DB / Article in other DB
dc.contributor.institutionVilniaus Gedimino technikos universitetas
dc.contributor.facultyElektronikos fakultetas / Faculty of Electronics
dc.subject.researchfieldT 001 - Elektros ir elektronikos inžinerija / Electrical and electronic engineering
dcterms.sourcetitleElektronika ir elektrotechnika
dc.description.issueNr. 6(62)
dc.publisher.nameTechnologija
dc.publisher.cityKaunas
dc.identifier.elaba3705152


Šio įrašo failai

FailaiDydisFormatasPeržiūra

Su šiuo įrašu susijusių failų nėra.

Šis įrašas yra šioje (-se) kolekcijoje (-ose)

Rodyti trumpą aprašą