SiC fazės moduliatorius =

Abstract

Išradimas priskiriamas mikrobangų įtaisams ir yra taikomas bangolaidžiu sklindančios bangos fazei moduliuoti. Išradimas gali būti ypatingai aktualus, jeigu prietaisas naudojamas agresyvioje terpėje, pvz., aukštos temperatūros, didelio rūgštingumo, stiprios jonizuojančios spinduliuotės sąlygomis. SiC bangolaidinis moduliatorius sudarytas iš 6 pagrindinių mazgų - metalinių cilindrinių bangolaidžių (1), vienas iš kurių skirtas sužadinti pagrindinio tipo bangą SiC bangolaidyje, o kitas skirtas priimti ir perduoti moduliuotą bangą toliau bangolaidiniu traktu; metalinių kontaktų (2); nuolatinės srovės šaltinio (3); SiC bangolaidžio (4). SiC cilindrinis bangolaidis (4) yra sužadinamas jį įstatant į metalinį bangolaidį (1). Bangolaidžio matmenys parinkti tokie, kad sklistų tik pagrindinė banga. SiC bangolaidžio sienelėmis tarp metalinių kontaktų (2) teka srovė, todėl bangolaidžio medžiaga gali būti įkaitinama nuo tam tikros pradinės darbo temperatūros iki galutinės darbo temperatūros, kuri gali siekti 1800 °C. Įtampos impulsais tarp metalinių kontaktų yra keičiama bangolaidžio medžiagos temperatūra. Kintant bangolaidžio medžiagos temperatūrai, keičiasi SiC dielektrinė skvarba ir atsiranda pagrindinės bangos fazės pokytis. Norint greičiau atšaldyti SiC bangolaidį iki pradinės temperatūros, tokiu būdu padidinant prietaiso veikimo spartą, bangolaidžio viduje yra sudarytas išilginis kanalas (5) užpildytas šaldymo agento, ir prijungtas prie aušinimo sistemos (6).

The invention is assigned to microwave devices and it is applied to modulate a phase of a propagating electromagnetic (EM) mode. The invention may be particularly relevant if the microwave device is used in the aggressive medium, such as high temperature, high acidity and strong ionizing radiation conditions. The SiC waveguide modulator consists of 6 major components the metal cylindrical waveguides (1), one of that is designed for an excitation of the main mode of SiC waveguide and other one is intended to receive and transmit a modulated wave along a total waveguide system, the metal contacts (2); the direct current source (3); the SiC waveguide (4). The SiC cylindrical waveguide (4) is excited by placing it inside a metal waveguide (1). Dimensions of the SiC waveguide is chosen thus that the main wave only can propagate on the waveguide.; The current flows on SiC waveguide tube walls therefore the waveguide material can be heating from some initial operating temperature till the final operating temperature, which may be 1800 DEG C. The waveguide material temperature is changed by voltage impulses between the metal contacts. The material permittivity also is changed with changing of the temperature and the phase shift of waveguide main mode also is altered. There is a longitudinal channel (5) inside of SiC waveguide that is filled with refrigerant and is connected to a cooling system (6) for a fast freezing of the SiC waveguide till an initial temperature and in this way, increasing the speed of the device operation.