Rodyti trumpą aprašą

dc.contributor.authorKamarauskas, Andrius,
dc.contributor.authorStaišiūnas, Laurynas,
dc.contributor.authorSeliuta, Dalius,
dc.contributor.authorŠlekas, Gediminas,
dc.contributor.authorKancleris, Žilvinas Andrius,
dc.date.accessioned2023-12-22T07:05:49Z
dc.date.available2023-12-22T07:05:49Z
dc.date.issued2023.
dc.identifier.issn1648-8504
dc.identifier.other(crossref_id)155463562
dc.identifier.urihttps://etalpykla.vilniustech.lt/xmlui/handle/123456789/153539
dc.description.abstractHere we propose a voltage-controlled Fabry–Perot modulator made of two overlapping graphene sheets separated by a hafnium oxide layer, manufactured on a silicon substrate. The applied voltage shifts the Fermi level in both layers thus changing the total surface conductivity. This in turn changes the optical parameters of the system. Due to the architecture of the modulator, ≈50% of THz power is absorbed and the applied voltage controls the ratio between the reflection and transmittance. At the resonance frequency of 414 GHz, the transmission through the Fabry–Perot modulator can be doubly reduced in a voltage range of –1.5 to 10 V. In DC measurements, it is revealed that the electrical properties of graphene sheets dramatically depend on the technological process. The proposed multilayer structure can be manufactured on any THz-transparent substrate, compatible with photolithography and atomic layer deposition (ALD) processes.Voltage-controlled surface conductivity could find its application in sensing or modulation of electromagnetic waves.eng
dc.description.abstractPagamintas ir ištirtas įtampa valdomas Fabry ir Perot moduliatorius, ant silicio padėklo klojant du grafeno sluoksnius ir juos atskiriant hafnio oksidu (HfO 2 ). Prijungus įtampą tarp grafeno sluoksnių abiejuose sluoksniuose ji skirtingai paveikia Fermi lygio padėtį, todėl keičiasi bendras paviršiaus laidumas. Tai keičia visos sistemos optinius parametrus. Dėl moduliatoriaus architektūros beveik 50 % galios sugeriama grafeno sluoksnyje. Įtampa valdomas santykis tarp atspindėtos ir praėjusios bangos per Fabry ir Perot moduliatorių. Nustačius 414 GHz rezonansinį dažnį, praėjusį elektromagnetinės bangos galingumą galima sumažinti du kartus įtampos diapazone nuo –1,5 iki 10 V. Atlikus nuolatinės srovės (DC) matavimus paaiškėjo, kad grafeno sluoksnių elektrinės savybės labai priklauso nuo technologinio proceso. Šią daugiasluoksnę struktūrą galima pagaminti ant bet kokio THz bangoms skaidraus pagrindo, suderinamo su fotolitografija bei atominio sluoksnio nusodinimo (ALD) technologija. Įtampa valdomas paviršiaus laidumas galėtų būti naudingas elektromagnetinių bangų jutikliams ar moduliatoriams.lit
dc.formatPDF
dc.format.extentp. 131-139.
dc.format.mediumtekstas / txt
dc.language.isoeng
dc.relation.isreferencedbyScience Citation Index Expanded (Web of Science)
dc.relation.isreferencedbyScopus
dc.source.urihttps://doi.org/10.3952/physics.2023.63.3.3
dc.titleVoltage controlled Fabry–Perot modulator /
dc.title.alternativeĮtampa valdomas Fabry ir Perot moduliatorius.
dc.typeStraipsnis Web of Science DB / Article in Web of Science DB
dcterms.references27
dc.type.pubtypeS1 - Straipsnis Web of Science DB / Web of Science DB article
dc.contributor.institutionValstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras
dc.contributor.institutionValstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras Vilniaus Gedimino technikos universitetas
dc.contributor.facultyElektronikos fakultetas / Faculty of Electronics
dc.subject.researchfieldN 002 - Fizika / Physics
dc.subject.researchfieldN 003 - Chemija / Chemistry
dc.subject.ltgraphene
dc.subject.ltinterference
dc.subject.ltmodulation
dc.subject.ltsurface conductivity
dc.subject.engraphene
dc.subject.eninterference
dc.subject.enmodulation
dc.subject.ensurface conductivity
dcterms.sourcetitleLithuanian journal of physics.
dc.description.issueno. 3
dc.description.volumevol. 63
dc.publisher.nameLithuanian Academy of Sciences
dc.publisher.cityVilnius
dc.identifier.doi155463562
dc.identifier.doi2-s2.0-85177821271
dc.identifier.doi85177821271
dc.identifier.doi0
dc.identifier.doi10.3952/physics.2023.63.3.3
dc.identifier.elaba184379248


Šio įrašo failai

FailaiDydisFormatasPeržiūra

Su šiuo įrašu susijusių failų nėra.

Šis įrašas yra šioje (-se) kolekcijoje (-ose)

Rodyti trumpą aprašą