Apgręžiklio trifazei įtampai formuoti tyrimas

Abstract

Magistriniame darbe apžvelgti dažnio keitiklio apgręžiklio trifazei įtampai formuoti principai ir įtampos formavimo algoritmai. Ištirti įvairiais metodais suformuotos įtampos spektrai. Išanalizuotos apgręžiklio IGBT (angl. Insulated Gate Bipolar Transistor - dvipolis tranzistorius su izoliuota užtūra) tranzistorių valdymo schemų maitinimo grandinės, ištirta šių tranzistorių valdymo grandinių parametrų įtaka IGBT tranzistorių kolektoriaus srovės ir įtampos kolektorius – emiteris frontų trukmei, tranzistoriui atsidarant ir užsidarant. Taip pat ištirta tranzistorių valdymo grandinių parametrų įtaka galios nuostoliams šiuose tranzistoriuose. Darbo apimtis – 68 p. teksto be priedų, 59 iliustr., 2 lent., 11 bibliografinių šaltinių.

The principles and algorithms of three-phase voltage forming by inverter, which is used in frequency converter are analyzed in master thesis. The spectrum of three-phase voltage formed using various methods are investigated. The supply circuit of IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistor drivers is analyzed and impact of IGBT transistor driver circuit parameters on rising and falling edges of collector current and voltage collector-emitter were investigated. The influence of transistor driver circuit parameters on power looses in IGBT transistor was investigated as well. Thesis consist of: 68 p. text without extras, 59 pictures, 2 tables, 11 bibliographical entries.