Impact of the carrier heating kinetics on the multiple photomagnetoelectric effect pulsed photoresponse frequency spectra

Abstract

Multiple photomagnetoelectric response has been investigated in strongly excited narrow gap semiconductors. The response frequency spectra dependence on experimental parameters determining the carrier heating kinetics has been studied. The discrete Fourier transform procedure has been applied to the photoresponse analysis. Possibility to guide the generation of the ultra high frequencies, including terahertz range at picosecond laser excitation of semiconductors, has been revealed.

Atlikti sudėtinio fotomagnetoelektrinio reiškinio, nulemto elektronų ir skylučių plazmos tankio ir temperatūros gradientų, impulsinio fotoatsako dažnių spektrinio tankio tyrimai siauratarpiuose puslaidininkiuose InAs, InSb ir Cd0,2Hg0,8Te. Parodyta, kad elektronų kaitimo kinetika efektyviai veikia impulsinio fotoatsako aukštadažnę spektro dalį. Daroma išvada, kad tai leidžia valdyti aukštųjų dažnių spinduliuotę iš spinduolio, veikiančio sudėtinio fotomagnetoelektrinio reiškinio pagrindu, keičiant žadinančio lazerio impulso trukmę ir naudojamą siauro draudžiamųjų energijų tarpo puslaidininkį. Nurodoma, kad, panaudojus pikosekundžių trukmės impulsus, generuojami aukšti dažniai siekia terahercų ruožą.