Rodyti trumpą aprašą

Growth and characterization of UTC photo-diodes containing GaAs1-xBix absorber layer

dc.contributor.authorGeižutis, Andrejus
dc.contributor.authorPačebutas, Vaidas
dc.contributor.authorButkutė, Renata
dc.contributor.authorSvidovsky, Polina
dc.contributor.authorStrazdienė, Viktorija
dc.contributor.authorKrotkus, Arūnas
dc.date.accessioned2023-09-18T20:08:18Z
dc.date.available2023-09-18T20:08:18Z
dc.date.issued2014
dc.identifier.issn0038-1101
dc.identifier.other(BIS)VGT02-000028863
dc.identifier.urihttps://etalpykla.vilniustech.lt/handle/123456789/147010
dc.description.abstractUni-Travelling-Carrier Photo-Diodes (UTC-PD) with GaAs1 xBix absorber layer have been fabricated and characterized. Two UTC-PD structures with and without a cliff layer between the absorber and collector were investigated. The spectral sensitivity dependences are similar for both UTC-PDs and are reaching the wavelength of 1.3 lm. Photosensitivity of structure with a cliff was one order of magnitude larger than that of the device without it.eng
dc.formatPDF
dc.format.extentp. 101-103
dc.format.mediumtekstas / txt
dc.language.isoeng
dc.relation.isreferencedbyScienceDirect
dc.relation.isreferencedbyScience Citation Index Expanded (Web of Science)
dc.source.urihttp://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0038110114000999
dc.subjectFM03 - Fizinių, technologinių ir ekonominių procesų matematiniai modeliai ir metodai / Mathematical models and methods of physical, technological and economic processes
dc.titleGrowth and characterization of UTC photo-diodes containing GaAs1-xBix absorber layer
dc.typeStraipsnis Web of Science DB / Article in Web of Science DB
dcterms.references15
dc.type.pubtypeS1 - Straipsnis Web of Science DB / Web of Science DB article
dc.contributor.institutionVilniaus Gedimino technikos universitetas Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras
dc.contributor.institutionValstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras
dc.contributor.facultyElektronikos fakultetas / Faculty of Electronics
dc.subject.researchfieldT 001 - Elektros ir elektronikos inžinerija / Electrical and electronic engineering
dc.subject.researchfieldN 002 - Fizika / Physics
dc.subject.ltspecializationsL104 - Nauji gamybos procesai, medžiagos ir technologijos / New production processes, materials and technologies
dc.subject.enUni-Travelling-Carrier Photo-Diodes
dc.subject.enDetector
dc.subject.enBismide compounds
dc.subject.enMolecular-beam-epitaxy
dc.subject.enCliff layer
dcterms.sourcetitleSolid-state electronics
dc.description.volumeVol. 99
dc.publisher.nameElsevier
dc.publisher.cityNew York
dc.identifier.doiLBT02-000051513
dc.identifier.doi10.1016/j.sse.2014.04.042
dc.identifier.elaba4088391


Šio įrašo failai

FailaiDydisFormatasPeržiūra

Su šiuo įrašu susijusių failų nėra.

Šis įrašas yra šioje (-se) kolekcijoje (-ose)

Rodyti trumpą aprašą