Microwave diffraction dependencies of a conductor cylinder coated with twelve glass and semiconductor layers on the n-Si specific resistivity

Abstract

The analysis of absorption and scattering dependencies of a multilayer cylinder on the incident plane wave frequency is presented. The cylinder consists of ideal conductor cylinder coated with twelve lossy n-Si semiconductor - glass layers alternatively. The calculation of the scattered and absorbed powers per unit length is based on the rigorous solution of scattering boundary problem. Calculations take into account the dispersion properties of n-Si material. Dependences are calculated for different values of semiconductor specific resistivity when the incident microwave propagates in the normal (θ = 90o) and oblique (θ = 60o ) directions to the z-axis. Here are presented dependencies for the two polarizations of the incident microwave, i.e. the perpendicular (ψ = 0o) and parallel (ψ = 90o) ones. We discovered that there is a strong dependency of the absorbed power on the n-Si specific resistivity. There are intervals on the frequency f -axis where the scattered and absorbed powers have some small values, i.e., the microwave doesn’t “see” the multilayer cylinder (Invisible Cloak) at some frequency bands.

Tiriamos sklaidos ir sugerties priklausomybės nuo bangos dažnio, kai idealiai laidus cilindras, pakaitomis padengtas dvylika puslaidininkio ir stiklo sluoksnių, yra plokščiosios bangos lauke. Cilindro ilgio vienete sugeriama ir išsklaidoma galia apskaičiuojama naudojantis griežtu sklaidos kraštinio uždavinio sprendiniu. Skaičiuojant atsižvelgiama į dispersiją n-Si puslaidininkyje. Priklausomybės apskaičiuotos esant įvairioms puslaidininkio savitosios varžos vertėms, kai krintančiosios bangos kryptis yra statmena cilindro ašiai θ = 90o ir kai su ašimi sudaro θ=60o laipsnių kampą, o bangos poliarizacijos vektorius yra statmenas cilindro ašiai (ψ = 0o), taip pat kai poliarizacijos vektorius yra cilindro ašies ir banginio vektoriaus plokštumoje (ψ = 90o). Skaičiavimai rodo, kad sugertis labai priklauso nuo silicio savitosios varžos. Nustatyta, kad tirtajam daugiasluoksniam cilindrui būdingos mažos sklaidos ir kartu mažos sugerties dažnių juostos, kuriose mikrobanga „nemato“ daugiasluoksnio cilindro.