Mn kiekio įtaka La-Sr-Mn(1-δ)O3 plonųjų sluoksnių elektriniam laidumui

Abstract

Ploni (140nm) La-Sr-Mn(1-δ)O3 sluoksniai buvo pagaminti organinės epitaksijos būdu ant LaAlO3 padėklų. Mangano kiekio nukrypimai nuo stechiometrijos kito nuo -0,10 iki 0,15. Varžos priklausomybės nuo temperatūros tyrimai parodė, kad visiems sluoksniams buvo būdingas fazinis virsmas iš paramagnetinės į feromagnetinę buseną. Didėjant Mn kiekiui sluoksnyje krizinė virsmo temperatūra Tm didėjo, o savitoji varža mažėjo. Buvo nustatyta, kad Tm augimą didejant Mn kiekiui galima paaiškinti remiantįs''vidutinio lauko modeliu" įskaitant tai, kad feromagnetinės sąveikos energija priklauso nuo Mn kiekio.

Thin (140 nm) La(1-x)SrxMn(1-δ)O3 films were deposited on LaA103 substrate using MOCVD technique. The deviation of Mn amount (δ) varied from 0.1 to 0.15. The investigation of films resistance vs. temperature dependence showed that all films exhibited transition from paramagnetic state to ferromagnetic state. The critical temperature of this transition Tm as well as resistivity of the film increases with the increase of δ. It was obtained that δ influence on Tm, can be explained using mean-field approach.