Ultraplonųjų epitaksinių La0,83Sr0,17MnO3 sluoksnių silpnojo lauko magnetovaržos anizotropija

Abstract

Ištirtas nanometrinių storių (d= 4-140 nm) La0,83Sr0,17MnO3 sluoksnių, pagamintų MOCVD būdu, silpnojo lauko (<300 mT) magnetovaržos anizotropijos (AMR) reiškinys. Nustatyta, kad labai plonuose sluoksniuose (d < 10 nm) lemiamą įtaką AMR turi vadinamoji neigiama ,,struktūrinė" anizotropija. Santykinai storuose sluoksniuose (d <= 140 nm) AMR atsiranda dėl teigiamos ,,srovės" anizotropijos. Tarpiniuose storiuose 4 nm <= d <= 140 nm abu šie reiskiniai veikia vienu metu, iš dalies kompensuodami vienas kitą, todėl kai sluoksnio storis d siekia 20-30 nm, bendra AMR yra minimali. Gauti rezultatai paaiškinti modeliu, kuriame ,,struktūrinės" anizotropijos atsiradimą lemia dvifazė ultraplonųjų sluoksnių struktūra, o AMR vertės priklausoinybę nuo d lemia santykio tarp šių fazių kitimas, kintant sluoksnio storiui. Pažymima, kad sluoksniai su minimalia AMR gali būti naudojami absoliutinės magnetinio lauko vertės matuokliams kurti.

The low field (<300 mT) anisotropy of magnetoresistance (AMR) as a function of temperature and thickness (d) was investigated in thin (d = 4-140 nm) La0,83Sr0,17MnO3 films prepared on NdGaO3 substrate with (001) orientation using the MOCVD technique. It has been demonstrated that the main behavior of AMR can be explained taking into consideration the two-phase structure of the film and the influence of "current" and "structural" factors in the total value of AMR.