Gilių priemaišinių lygių plonuose puslaidininkių sluoksniuose spektroskopija
Santrauka
Pasiūlytas optiškai indukuotos moduliacinės absorbcijos metodas gilių priemaišų energetinio spektro sudėčiai ir jų koncentracijai plonuose puslaidininkių sluoksniuose kontroliuoti. Metodas patikrintas tiriant siera inplantuotus GaAs plonus sluoksnius. Pasiūlyta aparatūros struktūra, leidžianti atlikti tokių sluoksnių gamybos technologijos kontrolę. Предложен метод оптически индуцированной модуляции абсорбции для контроля энергетического спектра и концентрации глубоких уровней в тонких слоях полупроводников. Методика проверена исследуя тонкие легированные серой имплантационные слои GаАs. Предлаается аппаратура для технологического контроля слоев. It is offered the method of the light induced modulation of absorbtion for control of energetical spectrum and concentration of deep level in thin layers of semiconductors. The method was verified by research of the thin layers of GaAs implanted by sulphur. The equipment of control of such layers is offered.