dc.contributor.author | Šatkovskis, Eugenijus | |
dc.date.accessioned | 2023-09-18T19:03:07Z | |
dc.date.available | 2023-09-18T19:03:07Z | |
dc.date.issued | 2003 | |
dc.identifier.other | (BIS)VGT02-000006772 | |
dc.identifier.uri | https://etalpykla.vilniustech.lt/handle/123456789/134841 | |
dc.description.abstract | The main results of the narrrow-gap semiconductors InAs, InSb and CdxHg1-xTe investigations under intense pused laser light excitation is summarised.[.......]. | eng |
dc.format.extent | p. 209 | |
dc.format.medium | tekstas / txt | |
dc.language.iso | lit | |
dc.title | Siauros draustinės juostos puslaidininkiai intensyvaus fotosužadinimo sąlygomis | |
dc.title.alternative | Narrow forbidded gap semiconductors under intense photoexcitation | |
dc.type | Konferencijos pranešimo santrauka / Conference presentation abstract | |
dc.type.pubtype | T2 - Konferencijos pranešimo tezės / Conference presentation abstract | |
dc.contributor.institution | Vilniaus Gedimino technikos universitetas | |
dc.contributor.faculty | Fundamentinių mokslų fakultetas / Faculty of Fundamental Sciences | |
dc.subject.researchfield | N 002 - Fizika / Physics | |
dcterms.sourcetitle | 35-oji jubiliejinė Lietuvos nacionalinė fizikos konferencija : programa ir pranešimų tezės, Vilnius, 2003 m. birželio 12-14 | |
dc.publisher.name | Puslaidininkių fizikos institutas | |
dc.publisher.city | Vilnius | |
dc.identifier.elaba | 3645225 | |