Show simple item record

dc.contributor.authorŠatkovskis, Eugenijus
dc.date.accessioned2023-09-18T19:03:07Z
dc.date.available2023-09-18T19:03:07Z
dc.date.issued2003
dc.identifier.other(BIS)VGT02-000006772
dc.identifier.urihttps://etalpykla.vilniustech.lt/handle/123456789/134841
dc.description.abstractThe main results of the narrrow-gap semiconductors InAs, InSb and CdxHg1-xTe investigations under intense pused laser light excitation is summarised.[.......].eng
dc.format.extentp. 209
dc.format.mediumtekstas / txt
dc.language.isolit
dc.titleSiauros draustinės juostos puslaidininkiai intensyvaus fotosužadinimo sąlygomis
dc.title.alternativeNarrow forbidded gap semiconductors under intense photoexcitation
dc.typeKonferencijos pranešimo santrauka / Conference presentation abstract
dc.type.pubtypeT2 - Konferencijos pranešimo tezės / Conference presentation abstract
dc.contributor.institutionVilniaus Gedimino technikos universitetas
dc.contributor.facultyFundamentinių mokslų fakultetas / Faculty of Fundamental Sciences
dc.subject.researchfieldN 002 - Fizika / Physics
dcterms.sourcetitle35-oji jubiliejinė Lietuvos nacionalinė fizikos konferencija : programa ir pranešimų tezės, Vilnius, 2003 m. birželio 12-14
dc.publisher.namePuslaidininkių fizikos institutas
dc.publisher.cityVilnius
dc.identifier.elaba3645225


Files in this item

FilesSizeFormatView

There are no files associated with this item.

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record