Siauros draustinės juostos puslaidininkiai intensyvaus fotosužadinimo sąlygomis
Santrauka
The main results of the narrrow-gap semiconductors InAs, InSb and CdxHg1-xTe investigations under intense pused laser light excitation is summarised.[.......].
Naršyti
Visame DSpaceRinkiniai ir kolekcijosPagal išleidimo datąAutoriaiAntraštėsTemos / Reikšminiai žodžiai InstitucijaFakultetasKatedra / institutasTipasŠaltinisLeidėjasTipas (PDB/ETD)Mokslo sritisStudijų kryptisVILNIUS TECH mokslinių tyrimų prioritetinės kryptys ir tematikosLietuvos sumanios specializacijosŠi kolekcijaPagal išleidimo datąAutoriaiAntraštėsTemos / Reikšminiai žodžiai InstitucijaFakultetasKatedra / institutasTipasŠaltinisLeidėjasTipas (PDB/ETD)Mokslo sritisStudijų kryptisVILNIUS TECH mokslinių tyrimų prioritetinės kryptys ir tematikosLietuvos sumanios specializacijos