Rodyti trumpą aprašą

Peculiarities of Temperature Dependence of Detected Voltage by GaAs/Al0.25Ga0.75As Heterojunction Microwave Diode Near Interwalley Crossover

dc.contributor.authorSužiedėlis, Algirdas
dc.contributor.authorAšmontas, Steponas
dc.contributor.authorGradauskas, Jonas
dc.contributor.authorNargelienė, Viktorija
dc.contributor.authorČerškus, Aurimas
dc.contributor.authorLučun, Andžej
dc.contributor.authorAnbinderis, Tomas
dc.contributor.authorPapsujeva, Irina
dc.contributor.authorNarkūnas, Aleksandras
dc.contributor.authorKundrotas, Benas
dc.contributor.authorRinkevičienė, Roma
dc.date.accessioned2023-09-18T20:02:51Z
dc.date.available2023-09-18T20:02:51Z
dc.date.issued2014
dc.identifier.issn1392-1320
dc.identifier.other(BIS)VGT02-000028754
dc.identifier.urihttps://etalpykla.vilniustech.lt/handle/123456789/146163
dc.description.abstractIn this paper we reveal electrical detection properties of planar MBE grown GaAs/Al0.25Ga0.75As heterojunction diode at different ambient temperatures. These investigations enabled to reveal the reasons of voltage signal rise across the heterojunction diode placed in a microwave electric field. Different temperature dependences of the detected voltage for different types of microwave diodes fabricated on the base of GaAs/Al0.25Ga0.75As heterostructures have been measured.eng
dc.formatPDF
dc.format.extentp. 138-140
dc.format.mediumtekstas / txt
dc.language.isoeng
dc.relation.isreferencedbyScience Citation Index Expanded (Web of Science)
dc.relation.isreferencedbyScopus
dc.relation.isreferencedbyVINITI
dc.relation.isreferencedbyINSPEC
dc.source.urihttp://www.matsc.ktu.lt/index.php/MatSc/article/view/6319
dc.subjectFM02 - Energijos šaltinių medžiagos ir technologijos / Materials and technologies of energy sources
dc.titlePeculiarities of Temperature Dependence of Detected Voltage by GaAs/Al0.25Ga0.75As Heterojunction Microwave Diode Near Interwalley Crossover
dc.typeStraipsnis Web of Science DB / Article in Web of Science DB
dcterms.references10
dc.type.pubtypeS1 - Straipsnis Web of Science DB / Web of Science DB article
dc.contributor.institutionVilniaus Gedimino technikos universitetas Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras
dc.contributor.institutionValstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras
dc.contributor.institutionUAB "Elmika"
dc.contributor.institutionVilniaus Gedimino technikos universitetas
dc.contributor.facultyFundamentinių mokslų fakultetas / Faculty of Fundamental Sciences
dc.contributor.facultyMechanikos fakultetas / Faculty of Mechanics
dc.contributor.facultyElektronikos fakultetas / Faculty of Electronics
dc.subject.researchfieldT 001 - Elektros ir elektronikos inžinerija / Electrical and electronic engineering
dc.subject.researchfieldT 008 - Medžiagų inžinerija / Material engineering
dc.subject.researchfieldN 002 - Fizika / Physics
dc.subject.ltspecializationsL102 - Energetika ir tvari aplinka / Energy and a sustainable environment
dc.subject.enSemiconductor heterojunction
dc.subject.enMicrowave diode
dc.subject.enMicrowave detection
dc.subject.enTemperature dependence
dcterms.sourcetitleMaterials science = Medžiagotyra
dc.description.issueno. 2
dc.description.volumeVol. 20
dc.publisher.nameTechnologija
dc.publisher.cityKaunas
dc.identifier.doiLBT02-000051151
dc.identifier.doi10.5755/j01.ms.20.2.6319
dc.identifier.elaba4085018


Šio įrašo failai

Thumbnail
Pavadinimas:
msc_Vol20_No2_138-140_Suziedel ...
Dydis:
236.1Kb
Formatas:
PDF
Peržiūrėti/Atidaryti

Šis įrašas yra šioje (-se) kolekcijoje (-ose)

Rodyti trumpą aprašą